Un equipo de investigadores de la Universidad Fudan, en Shanghái, desarrolló un dispositivo de memoria flash cuántica bidimensional que funciona con un solo electrón, un avance que podría mejorar drásticamente la velocidad y la eficiencia energética de los sistemas informáticos del futuro.
El estudio logró combinar tres cualidades difíciles de reunir a la vez: alta velocidad, bajo consumo energético y capacidad de retener datos sin necesidad de electricidad. Por primera vez, los científicos observaron el almacenamiento estable de un solo electrón a temperatura ambiente (27°C), algo que hasta ahora se creía posible solo a temperaturas extremadamente bajas.
El dispositivo necesita apenas un electrón para generar una ventana de memoria de 0,5 voltios, frente a los 200.000 electrones que requiere la tecnología DRAM actual para almacenar un solo bit. Según los investigadores, este avance podría integrarse directamente con los procesadores y potenciar las aplicaciones de la inteligencia artificial en distintos sectores.
